SAI779-1 Verstärkungsfüllstoff Silica in Silikonkautschuk

Silikonkautschuk Sorte SAI779-1, mit eisenarmen Rohstoffen und hochtransparent. Silikonkautschuk Grade SAI779-1 ist hochverstärktes ultrafeines Siliziumdioxid mit strenger Reinigungstechnologie, die speziell für Hochtemperatur-vulkanisierten Silikonkautschuk verwendet wird.

  • Art.-Nr:

    SAI799-1
  • Einecs Nein:

    238-878-4
  • CAS-Nr:

    7631-86-9
  • chemische Formel:

    SiO2.nH2
  • Oberflächenwette (m² / g) :

    130-160
  • Eigenschaften:

    Transparency, Good reinforcing

SAI779-1 Verstärkungsfüllstoff Silica in Silikonkautschuk

Niedriger Eisengehalt mit hoher Transparenz

Mittlere Partikelgröße: 10-14 um und BET spezifische Oberfläche 150-180 m²/g


Produktname

SiO2, gefällte Kieselsäure, weißer Kohlenstoff, Siliziumdioxid, konventionelles Kieselsäurepulver, amorphe gefällte Kieselsäure, Mikroperl-Fällungskieselsäure


Chemische Eigenschaften

Weiße Pulverform, mit eisenarmen Rohstoffen mit hoher Transparenz. SAI779-1 ist hochverstärktes ultrafeines Siliziumdioxid mit strenger Reinigungstechnologie, die speziell auf den Einsatz von hochtemperaturvulkanisiertem Silikonkautschuk spezialisiert ist.


Spezifikationen

Produkte

Spezifikation

Aussehen

Weißes Puder

BET spezifische Oberfläche m2/g

150-180

Salz als Na2SO4% Max

0,7

SiO2 % Min

98

Wärmeverlust bei 105°C 2h% Max

4.0-8.0

Zündverlust bei 1000°C % Max

7,0

pH-Wert (10% wässrige Suspension)

6.0-7.0

DBP-Absorption Wert cm³/g

2,0-2,7

Gesamt-Fe mg/kg Max 200

Mittlere Größe (D50)µm

10-14


Anwendung

SAI779-1 wird häufig für hochtemperaturvulkanisierten Silikonkautschuk verwendet.

SAI779-1 hat hohe Transparenz, gute Anti-Vergilbungswirkung, hohe Härtewirkung und bessere Verstärkungswirkung.

SAI779-1 Verstärkungsfüllstoff Silica in Silikonkautschuk

1. Paket: 10 kg/Beutel.

2. Lagerung: An einem trockenen und belüfteten Ort mit niedriger Temperatur aufbewahrt, direkte Sonneneinstrahlung vermeiden.

3. Haltbarkeit: Ein Jahr in belüfteter, kühler und trockener Umgebung.

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